Rapid recuit founo adopte sistèm avanse kontwòl mikro ak PID fèmen-bouk kontwòl tanperati, ki ka reyalize presizyon kontwòl tanperati wo ak inifòmite tanperati, epi yo ka ekipe ak chanm vakyòm oswa gaz milti-chanèl selon kondisyon pwosesis itilizatè.
Founisè rapid recuit itilize yon lanp enfrawouj alojene kòm yon sous chalè pou byen vit chofe gaufret oswa materyèl nan 300 degre -1200 degre nan yon vitès chofaj pi vit, kidonk elimine kèk domaj nan gaufre oswa materyèl ak amelyore pèfòmans pwodwi.
Vit annealing gwo founo dife (chip chalè tretman ekipman) se lajman ki itilize nan pwodiksyon an nan IC wafers, ki ap dirije wafers, MEMS, semi-conducteurs konpoze, aparèy pouvwa ak lòt pwodwi chip, osi byen ke ohmic kontak rapid alyaj, iyon enplantasyon annealing, kwasans oksid, estrès. sekou nan dans, dans ak lòt pwosesis. Se tretman chalè rapid yo itilize amelyore estrikti kristal la ak pwopriyete foto-elektrik, ak gwo endèks teknik, pwosesis konplèks ak espesifik espesifik.
Ranplasman kenkayri rapid recuit founo
1, ranplasman lanp chofaj la: lanp chofaj la depase lavi sèvis la oswa li pa klere bezwen ranplase. Lavi sèvis lanp chalè a se 3000 èdtan, epi lavi sèvis li yo ap redwi nan tanperati ki wo.
2, ranplasman lwil oliv ponp vakyòm: pandan w ap itilize, tanpri obsève kalib lwil oliv vakyòm yon fwa pa trimès. Lè kalib lwil oliv la montre ke nivo lwil oliv la se mwens pase 1/3, tanpri ajoute lwil oliv ponp vakyòm nan plis pase mwatye nan kalib lwil oliv la.
3, ranplasman tèrmokapteur: lè tanperati a nòmal oswa domaje, tèrmokapteur a bezwen ranplase. Lavi sèvis nòmal tèrmokapteur a se 3 mwa, epi lavi sèvis li vin pi kout pa faktè anviwònman an.
4. Ranplase O-bag la: Lè sifas O-bag la evidamman domaje oswa li pa ka sele, O-bag la bezwen ranplase. Lavi sèvis li afekte pa fòs ekstèn ak faktè tanperati.